1、Acceleration 速化反應

  廣義指各種化學反應中，若添加某些加速劑后，使其反應得以加快之謂。狹義是指鍍通孔(PTH)制程中，經活化反應后在速化槽液中，以酸類(如硫酸或含氟之酸類等)剝去所吸附鈀膠體的外殼，使露出活性的鈀金屬再與銅離子直接接觸，而得到化學銅層之前處理反應。

2、Accelerator 加速劑，速化劑

  指能促使化學反應加速進行之添加物而言，電路板用語有時可與 Promotor互相通用。又待含浸的樹脂，其 A-stage 中也有某種加速劑的參與。另在 PTH 制程中，當錫鈀膠體著落在底材孔壁上后，需以酸類溶去外面的錫殼，使鈀直接與化學銅反應，這種剝殼的酸液也稱為"速化劑"。

3、Activation 活化

  通常泛指化學反應之初所需出現之激動狀態。狹義則指 PTH  制程中鈀膠體著落在非導體孔壁上的過程，而這種槽液則稱為活化劑(Activator)。另有Activity之近似詞，是指"活性度"而言。

4、Activator 活化劑

  在PCB工業中常指助焊劑中的活化成份，如無機的氯化鋅或氯化銨，及有機性氫鹵化胺類或有機酸類等，皆能在高溫中協助"松脂酸"對待焊金屬表面進行清潔的工作。此等添加劑皆稱為 Activator 。

5、Back Light(Back Lighting) 背光法

  是一種檢查鍍通孔銅壁完好與否的放大目測法。其做法是將孔壁外的基材，自某一方向小心予以磨薄逼近孔壁，再利用樹脂半透明的原理，自背后薄基材處射入光線。假若化學銅孔壁品質完好并無任何破洞或針孔時，則該銅層必能阻絕光線而在顯微中呈現黑暗。一旦銅壁有破洞時，則必定有光點出現而被觀察到，并可加以放大攝影存證，稱為"背光檢查法"，亦稱之為Through  Light Method ，但只能看到半個孔壁。

6、Barrel 孔壁，滾鍍

  在電路板上常用以表示 PTH 的孔壁，如 Barrel Crack  即表銅孔壁的斷裂。但在電鍍制程中卻用以表示"滾鍍"，是將許多待鍍的小零件，集體堆放在可轉動的滾鍍桶中，以互相碰觸搭接的方式，與藏在其內的軟性陰極導電桿連通。操作時可令各小件在垂直上下滾動中進行電鍍，這種滾鍍所用的電壓比正常電鍍約高出三倍。

7、Catalyzing 催化

  "催化"是一般化學反應前，在各反應物中所額外加入的"介紹人"，令所需的反應能順利展開。在電路板業中則是專指 PTH 制程中，其"氯化鈀"槽液對非導體板材進行的"活化催化"，對化學銅鍍層先埋下成長的種子。不過此學術性的用語現已更通俗的說成"活化"(Activation)或"核化"(Nucleating)，或下種"(Seeding)了。另有Catalyst，其正確譯名是"催化劑"。

8、Chelate 螯合

  某些有機化合物中，其部份相鄰原子上，互有多余的"電子對"，可與外來的二價金屬離子(例如Ni2+，Co2+，Cu2+ 等)共同組成環狀(Ring)，類似螃蟹的兩支大螯般共同夾住外物一樣，稱之為螫合作用。具有這種功能的化合物者，稱為Chelating Agent。如EDTA(乙二胺基四醋酸)，ETA等都是常見的螯合劑。

9、Circumferential Separation 環狀斷孔 

  電路板的鍍通孔銅壁，有提供插焊及層間互相連通(Interconnection)的功能，其孔壁完整的重要性自不待言。環狀斷孔的成因可能有 PTH 的缺失，鍍錫鉛的不良造成孔中覆蓋不足，以致又被蝕斷等，此種整圈性孔壁的斷開稱為環狀斷孔，是一項品質上的嚴重缺點。

10、Colloid 膠體

  是物質分類中的一種流體，如牛奶、泥水等即是膠體溶液。是由許多巨分子或小分子聚集在一起，在液中呈現懸浮狀態，與糖水鹽水等真溶液不同。PTH制程其活化槽液中的"鈀"，在供貨商配制的初期是呈現真溶液，但經老化后到達現場操作時，卻另顯現出膠體溶液狀態，也唯有在膠體槽液中，板子才能完成活化化反應。

11、Direct Plating 直接電鍍，直接鍍板

  這是近年來所興起的一種新制程,欲將傳統有害人體含甲醛的化學銅從 PTH 中排除,而對孔壁先做金屬化的準備工作(如黑孔法、導電高分子法、電鍍化學銅法等)，再直接進行電鍍銅以完成孔壁，現已有多種商用制程正在推廣中。

12、EDTA乙胺四醋酸

  是Ethylene-Diamine-Tetra-Acetic  Acid的縮寫，為一種重要的有機螫合劑，無色結晶稍溶于水。其分子式中的四個能解離的氫原子，可被鈉原子取代而成二鈉、三鈉或四鈉鹽，使水中溶度大為提高。其水解后空出兩個負端，可補捉水中的二價金屬離子，如螃蟹的兩把螯夾一般稱為"螯合"。EDTA用途極廣，如各種清潔劑、洗發精、化學銅及電鍍、抗氧化劑、重金屬解毒劑，及其它藥品類，是一種極重要的添加助劑。

13、Electroless-deposition無電鍍

  在能夠進行自我催化(Autocatalytic)而還原的金屬離子（如銅或鎳）槽液中，其中所設置負電性較強的金屬或非金屬表面，在無需外加電流下，即能連續不斷沉積出金屬的制程稱為"無電鍍"。電路板工業中以"無電銅"為主，另有同義字"化學銅"，大陸業界則稱為"沉銅"。

14、Feed Through Hole 導通孔

  即Plated Through  Hole的另一說法。通孔原本目的有二，即插件及做為各層間的互連(Interconnect)通電，目前SMT比例增大，插裝零件很少。故通常為了節省板面的面積，這種不插件的通孔，其直徑很小(20mil以下)，而且不一定是全板貫孔。各種Vias中凡全板貫通者稱為"貫通孔"，局部貫通兩端無出口者，稱為埋通孔或埋孔(Buried  Hole)，局部貫通而有一端口者，稱為盲孔(Blind Hole)。

15、Hole preparation 通孔準備

  指完成鉆孔的裸材孔壁，在進行化學銅鍍著之前，先要對其非導體孔壁進行清潔，及使帶"正靜電"之處理，并完成隨后之微蝕處理與各站之水洗。使孔壁先能沉積上一層"帶負電"的鈀膠囊團，稱為"活化處理"。再續做"速化"處理，將鈀膠囊外圍的錫殼剝掉以便接受化學銅層的登陸。上述一系列槽液對底材孔壁的前處理，總稱之為"通孔準備"。

16、Metallization 金屬化

  此字的用途極廣，施工法也種類眾多不一而足。在電路板上多指鍍通孔化學銅制程，使在非導體的孔壁上，先得到可導電的銅層，謂之"金屬化"。當然能夠派用在孔壁上做為金屬化目的者，并非僅只有銅層一項而已。例如德國著名電鍍品供貨商 Schlotter 之 SLOTOPOSIT 制程,即另以"化學鎳"來進行金屬化制程。目前所流行的"Direct Plating"，更是以各種可導電的非金屬化學品，如碳粉、Pyrrole，或其它"導電性高分子"等。由是可知在科技的進步下，連原有的"金屬化"名詞也應改做"導電化"才更符合生產線上的實際情況。

17、Nucleation，Nucleating 核化

  這是較老的術語，是指非導體的板材表面接受到鈀膠體的吸附，而能進一步使化學銅層得以牢固的附著，這種先期的預備動作，現在最常見的說法便是活化(Activation)，早期亦另有Nucleating 、Seeding ，或 Catalyzing 等。

18、Outgassing 出氣，吹氣

  電路板在進行鍍通孔制程時，若因鉆孔不良造成孔壁坑洞太多，而無法讓化學銅層均勻的鋪滿，以致存在著曝露底材的"破洞"(Voids)時，則可能自各濕制程吸藏水份，而在后來高溫焊接制程中形成水蒸氣向外噴出。吹入孔內尚處在高溫液態的焊錫中，將在后來冷卻固化的錫柱中便形成空洞。這種自底材銅壁破洞向外噴出水蒸氣的現象稱為"Out-gassing"。而發生"吹氣"的不良鍍通孔，則稱"吹孔"  (Blow Hole) 。注意，若出氣量很多時，會常往板子"焊錫面"尚未固化的錫柱沖出并噴向板外，呈現如火山口般的噴口。故當板子完成焊接后，若欲檢查品質上是否有"吹孔"時，則可在板子的焊錫面去找，至于組件面因處于錫池的背面會提前冷卻，致使出現"噴口"的機會并不多。

19、Palladium鈀

  是白金的貴金屬之一，在電路板工業中是以氯化鈀的膠體離子團，做為PTH制程中的活化劑(Activator)，當做化學銅層生長的前鋒部隊。數十年來一直居于無可取代的地位，連最新發展中"直接電鍍"(Direct Plating)法的佼佼者Crimson，也是以"硫化鈀"做為導電的基層。

20、Plated Through Hole，PTH鍍通孔

  是指雙面板以上，用以當成各層導體互連的管道，也是早期零件在板子上插裝焊接的基地，一般規范即要求銅孔壁之厚度至少應在1mil以上。近年來零件之表面黏裝盛行，PTH多數已不再用于插裝零件。因而為節省板面表面積起見，都盡量將其孔徑予以縮小(20 mil以下)，只做為"互連"(Interconnection)的用途，特稱為"導通孔"(Via Hole)。

21、Pull Away拉離

  指鍍通孔制程之前處理清潔不足，致使后來在底材上所完成的銅孔壁(化學銅加電鍍銅)固著力欠佳，以致根基不穩容易脫離。例如當雙面板在進行PTH前，并未做過除膠渣(Smear Removal)處理，其銅壁雖也能順利的生長，但當膠渣太多或遭遇到漂錫與焊接之強熱考驗時，其銅壁與底材之間將出現可能分離的現象，稱為"Pull Away"。

22、Seeding下種

  即PTH之活化處理 (Activation)制程；"下種"是早期不甚妥當的術語。

23、Sensitizing敏化

  早期PTH的制程中，在進行化學銅處理之前，必須對非導體底材進行雙槽式的活化處理，并非如現行完善的單槽處理。昔時是先在氯化亞錫槽液中，令非導體表面先帶有"二價錫"的沉積物，再進入氯化鈀槽使"二價鈀"進行沉積(即Activation)。亦即讓其兩種金屬離子，在板面上或孔壁上進行相互間的氧化還原，使非導體表面上有金屬鈀附著及出現氫氣，以完成其初步之金屬化，并具有很強的還原性，吸引后來銅原子的積附。此種雙槽式處理前一槽的亞錫處理，稱為"敏化"。不過目前業界已將Sensitizing 與 Activation 兩者視為同義字，且已統稱為"活化"，敏化之定義已逐漸消失。

24、Sequestering Agent螫合劑

  若在水溶液中加入某些化學品(如磷酸鹽類)，促使其能"捉住"該水溶液中的金屬離子，而將之轉變成為錯離子(Complex Ion)，阻止其發生沉淀或其它反應。但其與金屬之間卻未發生化學變化，此種只呈現"捕捉"的作用稱為"Seauestering 螫合"。具有此等性質且又能壓抑某些金屬離子在水中活性之化學品者，稱為"螫合劑 Sequestering  Agent"。Sequestering 與 Chelate 二者雖皆為"螫合"，但亦稍有不同。后者是一種配位(Coordination)化合物(以EDTA為例，見下圖之結構式)，一旦與水溶液中某些金屬離子形成"雜環狀"化合物后，即不易再讓該金屬離子離開。此類螫合劑分子如有兩個位置可供結合者，稱為雙鉤物(Bidentate)，如提供三個配位者則稱為三鉤物(Tridentate)。

25、Thermal Zone感熱區

  指多層板的鍍通孔壁，及套接的各層孔環，其在板材 Z 軸所占據的區域，很容易感受到通孔傳來的高熱，故稱為"感熱區"。如鍍通孔在高溫中受強熱后(如焊接)，其"感熱區"的受熱，遠比無通孔區更快也更多。其詳細內容請見附圖之說明。

26、Void破洞，空洞

  此詞常用于電路板的通孔銅壁上，是指已見底的穿孔或局部銅厚低于允收下限的區域，皆謂之"破洞"。另在組裝焊接板上，若系插孔焊接的錫柱中(Solder  Plug)，局部發生"出氣" (Outgassing)而形成空洞；或表面黏裝錫膏接點的"填錫"(Solder Fillets)中，因水份或溶劑的氣化而形成另一種空洞，此二種缺點皆稱為"空洞"。

27、Wicking燈芯效應

  質地疏松的燈芯或燭心，對油液會發生抽吸的毛細現象，稱為Wicking。電路板之板材經鉆孔后，其玻璃紗束切斷處常呈現疏松狀，也會吸入PTH的各種槽液，以致造成一小段化學銅層存留其中，此種滲銅也稱為"燈芯效應"。這類Wicking在技術高明的垂直剖孔"微切片"上，幾乎是隨處可見。 IPC-RB-276在3.9.1.1中規定，Class 1的板級其滲銅深度不可超過5 mil； Class 2不可超過 4 mil；Class 3更不可超過 3 mil。另外在銅絲編線或銅絲線束中，在沾錫時也會Wicking發生。PTH Plated Through Hole;鍍通孔。

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